Modèle de Produit

RD70HHF1

Introduction

Transistor MOS FET RF en silicium pour les bandes HF/VHF/UHF

Marque et Fabricant

Mitsubishi Electric Semiconductor

Caractéristiques

Gain de puissance élevé, faible facteur de bruit, fonctionnement à haute efficacité

Performance du Produit

Optimisé pour des fréquences de 30 MHz à 1000 MHz, excellente stabilité thermique, conçu pour une grande robustesse

Spécifications Techniques

Fréquence maximale : 1 GHz, puissance de sortie : 75 W, tension Drain-Source : 50 V, tension Gate-Source : ±20 V, courant de drain : 20 A, gain de puissance : 13 dB, efficacité : 60 %

Dimensions, Forme et Conditionnement

Boîtier TO-220AB, broches droites

Qualité et Fiabilité

Qualité éprouvée de Mitsubishi Electric, construction durable, stabilité et performances à long terme

Avantages du Produit

Robuste contre les charges déséquilibrées, adapté aux opérations à haute tension

Compétitivité du Produit

Rapport puissance/coût élevé, comparable aux dispositifs des principaux concurrents

Compatibilité

Utilisable dans diverses applications HF/VHF/UHF

Certification et Conformité aux Normes

Conforme RoHS, respecte les spécifications standard de l'industrie pour les transistors MOS FET RF

Durée de Vie et Durabilité

Conçu pour une durée de vie opérationnelle prolongée, utilisable dans des applications durables avec un bon entretien

Champs d'Application Réels

Systèmes de radio amateur, équipements radio commerciaux et industriels, amplificateurs de puissance RF

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